松下(xià)電(diàn)器(qì)産業(yè)株式會≤™♦(huì)社機(jī)電(diàn)解決方>↔¥≠案公司實現(xiàn)了(le)性能(néng)優異的(dα e)“半導體(tǐ)封裝基闆材料（産品編号：R-1515V）”的(de)産 '✘ 品化(huà)，将于2021年(nián)7月(yuè)批量生(shē≤σ$ng)産。該産品可(kě)在封裝時(shí)利用(yòng)低(dī)熱"β₽$(rè)膨脹性抑制(zhì)翹曲，并且利用(​‌×yòng)優越的(de)伸縮性和(hé)緩沖性來(ε✘lái)減輕對(duì)焊球的(de)應力。

物(wù)聯網、人(rén)工(gōng)智能≠φ↑(néng)技(jì)術(shù)和(hé)車(¶€'®chē)聯網等應用(yòng)的(de)↑Ω♦發展皆需使用(yòng)到(dào)高(gāo)性能 ™♦♠(néng)、高(gāo)集成度半導體(tǐ)芯片，正因為(wèi)如(rú₹α)此，半導體(tǐ)封裝正朝著(zhe)大(dà)型化(₽∏"‌huà)和(hé)2.5D封裝[1]中常見(jiàn)的(de)高(gāo)密∏σ度化(huà)方向發展，需具備優異的(d↕←☆✘e)封裝可(kě)靠性。

松下(xià)一(yī)直緻力于研發主闆用(yòng'&)基闆材料、半導體(tǐ)封裝基闆（Substrate）材料和(÷♣≈hé)半導體(tǐ)封裝材料等多(duō)種材料。此次，松下  γ‌(xià)綜合運用(yòng)此類自(zì)主研發技(jìπ♥δδ)術(shù)，開(kāi)發出具有(y<∑>>ǒu)高(gāo)可(kě)靠性的(de)半導體(tǐ)封裝基闆材料。若想提♥↑ 高(gāo)封裝可(kě)靠性，我們需要(∏♥$yào)在封裝IC芯片和(hé)基闆（半導體(tǐ)封裝）時(sh≈♣→∞í)抑制(zhì)翹曲的(de)産生(shēng)，并且在貼裝半導體(ε£tǐ)封裝體(tǐ)和(hé)主闆（主闆級≤δπ♣SMT[2]）時(shí)降低(dī)施加于$₩"焊球的(de)應力。

本次研發的(de)材料通(tōng)過抑制(zhì)熱(rè)≥→≤膨脹系數(shù)（CTE[3]），使之接近(jìn)于IC芯片的(de)低§↔¶(dī)熱(rè)膨脹系數(shù)以抑制(zhì) ♦翹曲的(de)産生(shēng)，提高(gāo)了(le)™÷>λ半導體(tǐ)封裝的(de)可(kě)靠性。并且利用(yòng)優異的(♣ σ de)闆厚精度，使基闆和(hé)IC芯片的(de)貼合更為(wèi)穩定♣☆，進一(yī)步提高(gāo)了(le)半導體(t   ǐ)封裝的(de)可(kě)靠性。在主闆級S♦<✔MT中，兼具良好(hǎo)的(de)伸縮性和(hé)緩沖性，以緩和↕☆±(hé)因熱(rè)膨脹差異而對(duì)焊球施加的(π≈¥de)應力，從(cóng)而提高(gāo)貼裝可(kě)靠性¥​↑✘。

【特點】

1. 利用(yòng)低(dī)熱(rè)膨脹性，通(tōng)過接近("¥jìn)IC芯片的(de)熱(rè)膨脹系數(✘β✘♥shù)抑制(zhì)翹曲，減少(shǎo)了(le)IC芯片封裝（半₹™±導體(tǐ)封裝）時(shí)的(de)不(b•&ù)良問(wèn)題
2. 确保低(dī)熱(rè)膨脹性，同時(shí)利用(yòng)兼α<γ具樹(shù)脂的(de)伸縮性和(hé)緩沖性的(de)應力緩₽ ♦和(hé)技(jì)術(shù)，提高(gāo)主闆級SMT的(↓'de)可(kě)靠性
3. 闆厚精度優異，使基闆（核心材料）和(hé)IC芯片的(de)互$±☆>連更為(wèi)穩定，進一(yī)步提高(gāo)半導體(tǐ)封裝∞"™的(de)可(kě)靠性

【用(yòng)途】
CPU[4]、GPU[5]、FPGA[6]、ASIC[7™÷]等的(de)FC-BGA[8]封裝

【備注】
發布于The 2021 IEEE 71st Electroni∏>→c Components and Technology Con÷≠★ference（2021年(nián)6月(yuè)1α‌♠日(rì)～7月(yuè)4日(rì)）。

【特點的(de)詳細說(shuō)明(míng)】
1. 利用(yòng)低(dī)熱(rè)膨脹性，通(tōng)過接近('♦"♣jìn)IC芯片的(de)熱(rè)膨脹系數(←↓&<shù)抑制(zhì)翹曲，減少(shǎo§± ≈)了(le)IC芯片封裝（半導體(tǐ)封裝）時(shí)的(de)不(εαbù)良問(wèn)題
基于在電(diàn)子(zǐ)電(diàn)路(lù)基闆材料 ∑•研發中培育的(de)樹(shù)脂設計(jì)技(jì)術(sh↔×αù)，研發出4ppm（本公司測量值）的(de)低(dī)熱(rè)膨脹系βσ數(shù)材料。通(tōng)過更接近(jìn)IC芯₩±"片（半導體(tǐ)）的(de)低(dī)¥×₽<熱(rè)膨脹系數(shù)，抑制(zhì)因互÷λ™∞相(xiàng)的(de)熱(rè)膨脹系數(shù)差異而産生✘≤(shēng)的(de)翹曲，提高(gāo)基闆和(hé₩♥¥•)IC芯片的(de)封裝可(kě)靠性。

2. 确保低(dī)熱(rè)膨脹性，同時(shí)利用(yò​∑ng)兼具樹(shù)脂的(de)伸縮性和(hé)緩沖性π♥₽的(de)應力緩和(hé)技(jì)術(shù)，提高(gāo)主闆α♠ ™級SMT的(de)可(kě)靠性
通(tōng)過仿真模拟，依托自(zì)主的(de)樹(sh↑♣✘€ù)脂設計(jì)技(jì)術(shù)，研發•φ出确保低(dī)熱(rè)膨脹性并且兼具伸縮性和(h↕&é)緩沖性的(de)材料。如(rú)此可(kě)以吸收及分σ♣π§(fēn)散施加于半導體(tǐ)封裝體(tǐ)λ£↓和(hé)主闆之間(jiān)的(de)焊球上(shàng)的(de)應σ✘₽♠力，不(bù)影(yǐng)響半導體(tǐ)封裝質>Ω量，并提高(gāo)主闆級SMT的(de ' §)可(kě)靠性。

3. 闆厚精度優異，使基闆（核心材料）和(hé)IC芯‌λ‌片的(de)互連更為(wèi)穩定，進一(yī)步提高(♦✔gāo)半導體(tǐ)封裝的(de)可(kě)靠性
利用(yòng)在電(diàn)路(lù)基闆材料研發中↑'•​培育的(de)樹(shù)脂流動控制(zhì)技(j↑€ì)術(shù)，可(kě)在抑制(zhì)樹(sh✘&γ↓ù)脂流動的(de)同時(shí)确保良好(h<←✔ǎo)的(de)成型性，實現(xiàn)極小(xiǎo)的(d®' 'e)公差管控和(hé)均勻性控制(zhì)。使基闆（芯闆材料）和(hé)I‌∑★C芯片的(de)互連更為(wèi)穩定，進一(yī)步提高(✘‌₽εgāo)半導體(tǐ)封裝的(de)可(kě)靠性。

【特性表】